Samsung fertigt NAND-Flash mit 3 Bit pro Zelle in 20-Nanometer-Technik. Gedacht sind die Chips mit bis zu 64 GBit Kapazität vor allem für USB-Speichersticks. (Speichermedien [URL:http://www.golem.de/specials/speichermedien/] ,Samsung [URL:http://www.golem.de/specials/samsung/] ) weiterlesen [URL:http://www.golem.de/1010/78609-rss.html]

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Flashspeicher: Samsung fertigt 64-GBit-NAND in 20-Nanometertechnik

compbot
13. Oktober 2010
Geschlossen
Erledigt

compbot

Gast
13. Oktober 2010
- #1
Samsung fertigt NAND-Flash mit 3 Bit pro Zelle in 20-Nanometer-Technik. Gedacht sind die Chips mit bis zu 64 GBit Kapazität vor allem für USB-Speichersticks. ( Speichermedien
, Samsung
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